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Silicon Motion(慧荣科技)先前的固态硬碟控制器主要集中于PCIe Gen3世代,到了现在才推出支援PCIe Gen4介面与NVMe 1.4通讯协定的产物,并一口气推出3款差别定位的产物以知足高、中、低阶的使用需求。
SM2264知足高效能和车用需求
Silicon Motion宣布推出SM2264、SM2267、SM2267XT等3款高效能、低功耗的PCIe 4.0 NVMe 1.4控制晶片器,划分定位为高阶旗舰、主流、入门与小尺寸应用等差别市场,并整合错误码修正 (ECC) 手艺、资料路径和EMI珍爱,提供完整、稳固的资料珍爱,知足储存装备所需的高效稳固需求。
其中旗舰款SM2264为针对高效能和车用固态硬碟应用,接纳TSMC 12nm FinFET制程,搭载4焦点Arm Cortex-R8处理器,具有4组16Gb/s PCIe资料汇流排,并支援8组NAND通道(每组通道运作速率最高可达1,600 MT/s),延续读写效能最高可达7,400、6,800MB/s,随机读写I/O效能最高达1,000K IOPS,传输效能较自家前代产物提升1倍以上。
此外SM2264也搭载Silicon Motion最新第7代NANDXtend手艺,整合最新专利高效能4KB LDPC错误码修正引擎和RAID功效,为最新一代的3D TLC和 QLC NAND提供极佳的错误校正能力,此外也提供SR-IOV功效,让它可以直接同时为八台虚拟机械提供直接PCIe毗邻能力,相当适合用于车用电脑等使用情境。
▲ Silicon Motion一口器推出SM2264、SM2267、SM2267XT等3款支援PCIe 4.0 NVMe 1.4的固态硬碟控制晶片器。
▲ SM2264为旗舰级产物,提供前代产物1倍以上的效能。
▲ SM2264的延续读写效能最高可达7,400、6,800MB/s,随机读写速率最高达1,000K IOPS。
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▲ 从CrystalDiskMark的测试成就来看,SM2264的显示确实不错。
另有中、低阶产物新选择
SM2267与SM2267XT是针对主流和入门市场设计的产物,皆支援Gen4x4介面与4组NAND通道(每组通道运作速率最高可达1,200 MT/s),延续读写效能为3,900、3,500 MB/s,随机读写I/O效能为500K IOPS。
2者均搭载NANDXtend ECC手艺,并支援最新3D TLC和QLC NAND颗粒,其中SM2267具有DRAM缓冲设计,SM2267XT则为DRAM-less设计,并可透过HMB(Host Memory Buffer)手艺分享电脑的主记忆体做为读写缓冲,以利进一步压低固态硬碟价钱。
▲ SM2267为主流市场定位的中阶产物。
▲ 其延续读写效能为3,900、3,500 MB/s,随机读写I/O效能为500K IOPS。
▲ SM2267XT为DRAM-less设计的入门级产物。。
▲ SM2267XT的延续读写效能同为3,900、3,500 MB/s,随机读写I/O效能在启用HMB时可达500K IOPS,若无HMB则为200K IOPS。
SM2264 | SM2267 | SM2267XT | |
传输介面 | PCIe Gen4x4 | PCIe Gen4x4 | PCIe Gen4x4 |
通讯协定 | NVMe 1.4 | NVMe 1.4 | NVMe 1.4 |
NAND 通道数 | 8 | 4 | 4 |
CE/通道 | 8 | 8 | 4 |
DRAM缓冲区 | 有 | 有 | 无(支援HMB) |
延续读取最高效能 | 7,400 MB/s | 3,900 MB/s | 3,900 MB/s |
延续写入最高效能 | 6,800 MB/s | 3,500 MB/s | 3,500 MB/s |
随机读取最高效能 | 1,000K IOPS | 500K IOPS | 500K IOPS(HMB),200K IOPS(无HMB) |
随机写入最高效能 | 1,000K IOPS | 500K IOPS | 500K IOPS |
现在SM2264现在进入客户送样阶段,而SM2267与SM2267XT已进入量产阶段,信赖在不久之后就能在市场上看到搭载这些控制器的固态硬碟产物。
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